| 零件编号 | VS-GT100TP60N |
|---|---|
| 制造商 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 描述 | IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK |
| 数据表 | |
| 封装 | INT-A-PAK (3 + 4) |
| ECAD |
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| 库存 | 2,320 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 待确认 |
| 预计送达时间 | 二月 3 - 二月 8 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - IGBT - 模块 |
| 封装 | INT-A-PAK (3 + 4) |
| ECAD |
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| 系列 | - |
| IGBT类型 | Trench |
| 组态 | Half Bridge |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流 - 收集器（Ic）（最大） | 160A |
| 力量 - 最大 | 417W |
| Vce（on）（Max）@ Vge，Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
| 电流 - 收集器截止（最大） | 5mA |
| 输入电容（Cies）@ Vce | 7.71nF @ 30V |
| 输入 | Standard |
| NTC热敏电阻 | No |
| 工作温度 | 175°C (TJ) |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 包/箱 | INT-A-PAK (3 + 4) |
| 供应商设备包 | INT-A-PAK |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
VS-GT100TP60N D# VS-GT100TP60N |
Vishay Intertechnologies |
OUTPUT & SW MODULES - IAP IGBT - Bulk (Alt: VS-GT100TP60N) |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
VS-GT100TP60N D# VS-GT100TP60N |
Vishay Intertechnologies |
OUTPUT & SW MODULES - IAP IGBT (Alt: VS-GT100TP60N) |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
VS-GT100TP60N D# VS-GT100TP60N-ND |
Vishay Semiconductors |
IGBT MOD 600V 160A INT-A-PAK |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
VS-GT100TP60N D# 43X1829 |
Vishay Intertechnologies |
IGBT, MODULE, DUAL N-CH, 600V, 160A, DC Collector Current:160A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.65V, Power Dissipation Pd:417W, Junction Temperature, Tj Max:175°C, IGBT Termination:Stud, Product Range:- RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 24
Container: Bulk
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
VS-GT100TP60N |
Vishay Intertechnologies |
IGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT pbFree: Pb-Free
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