| 零件编号 | SUP50N03-5M1P-GE3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 50A TO-220AB |
| 数据表 | |
| 封装 | TO-220-3 |
| ECAD |
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| 库存 | 121,812 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 可立即发货 |
| 预计送达时间 | 二月 3 - 二月 8 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | TO-220-3 |
| ECAD |
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| 系列 | TrenchFET? |
| FET类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 50A (Tc) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 2.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 66nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 2780pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 2.7W (Ta), 59.5W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 5.1 mOhm @ 22A, 10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 供应商设备包 | TO-220AB |
| 包/箱 | TO-220-3 |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SUP50N03-5M1P-GE3 D# SUP50N03-5M1P-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: SUP50N03-5M1P-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SUP50N03-5M1P-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET,N CH,DIODE,30V,50A,TO-220AB |
233 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SUP50N03-5M1P-GE3 D# SUP50N03-5M1P-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 50A TO220AB |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SUP50N03-5M1P-GE3 |
VBsemi Electronics Co Ltd |
In stock shipping within 2days |
10350 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SUP50N03-5M1P-GE3 D# 1859016 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET,N CH,DIODE,30V,50A,TO-220AB RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Each
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SUP50N035M1PGE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
47838 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SUP50N03-5M1P-GE3 D# NS-SUP50N03-5M1P-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
7537 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SUP50N035M1PGE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
230 |
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