| 零件编号 | SSM6J502NU,LF(T |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 描述 | MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A |
| 数据表 | |
| 封装 | 6-WDFN Exposed Pad |
| ECAD |
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| 库存 | 28,572 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 待确认 |
| 预计送达时间 | 三月 8 - 三月 13 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | 6-WDFN Exposed Pad |
| ECAD |
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| 系列 | U-MOSVI |
| FET类型 | P-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 20V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 6A (Ta) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 1.5V, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 1V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 24.8nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 1800pF @ 10V |
| Vgs（最大） | ±8V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 1W (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 23.1 mOhm @ 4A, 4.5V |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | 6-UDFNB (2x2) |
| 包/箱 | 6-WDFN Exposed Pad |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SSM6J502NU,LF(T D# SSM6J502NU,LF(T |
Toshiba America Electronic Components |
Transistor MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin UDFN (Alt: SSM6J502NU,LF(T) RoHS: Compliant
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SSM6J502NULFT |
Toshiba America Electronic Components |
RoHS: Compliant
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SSM6J502NU,LF D# SSM6J502NULFTR-ND |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SSM6J502NULFT |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
7122 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SSM6J502NULFT |
TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE |
OEM/CM ONLY |
6001 |
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