| 零件编号 | SPP80N06S2L-06 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 |
| 数据表 | |
| 封装 | TO-220-3 |
| ECAD |
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| 库存 | 25,932 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 可立即发货 |
| 预计送达时间 | 十一月 18 - 十一月 23 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | TO-220-3 |
| ECAD |
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| 系列 | OptiMOS? |
| FET类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 55V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 80A (Tc) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 2V @ 180µA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 150nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 5050pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 250W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 6.3 mOhm @ 69A, 10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 供应商设备包 | PG-TO220-3-1 |
| 包/箱 | TO-220-3 |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SPP80N06S2L-06 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SPP80N06S2L-06 D# SPP80N06S2L-06-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SPP80N06S2L-06 |
VBsemi Electronics Co Ltd |
In stock shipping within 2days |
2020 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SPP80N06S2L06 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
19040 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SPP80N06S2L-06 D# NS-SPP80N06S2L-06 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
8876 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SPP80N06S2L06 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
16011 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SPP80N06S2L06 |
Infineon Technologies AG |
RFQ |
14687 |
SPP80N06S2L-06 |
Infineon Technologies AG |
RFQ |
13932 |
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