| 零件编号 | SIS452DN-T1-GE3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK |
| 数据表 | |
| 封装 | PowerPAK? 1212-8 |
| ECAD |
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| 库存 | 6,256 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 待确认 |
| 预计送达时间 | 三月 24 - 三月 29 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | PowerPAK? 1212-8 |
| ECAD |
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| 系列 | TrenchFET? |
| FET类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 12V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 35A (Tc) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 2.2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 41nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 1700pF @ 6V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 3.25 mOhm @ 20A, 10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | PowerPAK? 1212-8 |
| 包/箱 | PowerPAK? 1212-8 |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIS452DN-T1-GE3 D# V72:2272_09216101 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 12V 27.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R RoHS: Compliant
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIS452DN-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIS452DN-T1-GE3 D# SIS452DN-T1-GE3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8 |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIS452DN-T1-GE3 D# 38AH2339 |
Vishay Intertechnologies |
N-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
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0 |
SIS452DN-T1-GE3. D# 23AC9587 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:12V, Continuous Drain Current Id:35A, On Resistance Rds(on):0.0026ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.2V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIS452DN-T1-GE3 D# NS-SIS452DN-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
6663 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIS452DNT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
9011 |
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