| 零件编号 | SIA417DJ-T1-GE3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6 |
| 数据表 | |
| 封装 | PowerPAK? SC-70-6 |
| ECAD |
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| 库存 | 892,116 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 可立即发货 |
| 预计送达时间 | 二月 13 - 二月 18 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | PowerPAK? SC-70-6 |
| ECAD |
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| 系列 | TrenchFET? |
| FET类型 | P-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 8V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 12A (Tc) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 1.2V, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 32nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 1600pF @ 4V |
| Vgs（最大） | ±5V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 23 mOhm @ 7A, 4.5V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | PowerPAK? SC-70-6 Single |
| 包/箱 | PowerPAK? SC-70-6 |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIA417DJ-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
P CHANNEL MOSFET, -8V, 12A, SC-70 |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIA417DJ-T1-GE3 D# SIA417DJ-T1-GE3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6 |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIA417DJ-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
In stock shipping within 2days |
5699 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIA417DJ-T1-GE3 D# 2335095 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, P CH, -8V, -12A, POWERPAK SC70 RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIA417DJT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
136850 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIA417DJ-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
49985 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIA417DJ-T1-GE3 D# 25AJ2816 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, P CH, -8V, -12A, POWERPAK SC70, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-12A, Drain Source Voltage Vds:-8V, On Resistance Rds(on):0.019ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V, Threshold Voltage Vgs:-1V, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIA417DJ-T1-GE3 D# NS-SIA417DJ-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
1946 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIA417DJ-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 12A I(D), 8V, 0.023OHM, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET |
2525 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIA417DJT1GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
121439 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIA417DJ-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
49970 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIA417DJ-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
5755 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SIA417DJ-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RFQ |
8175 |
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