| 零件编号 | SI9926BDY-T1-GE3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC |
| 数据表 | |
| 封装 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| 库存 | 3,600 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 待确认 |
| 预计送达时间 | 十一月 8 - 十一月 13 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 |
| 封装 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| 系列 | TrenchFET? |
| FET类型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET功能 | Logic Level Gate |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 20V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 6.2A |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 20 mOhm @ 8.2A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 1.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | - |
| 力量 - 最大 | 1.14W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 供应商设备包 | 8-SO |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI9926BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI9926BDY-T1-GE3 D# SI9926BDY-T1-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI9926BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
76325 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI9926BDY-T1-GE3 D# 26R1950 |
Vishay Intertechnologies |
DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, 6.2A, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:6.2A, On Resistance Rds(on):0.02ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Cut Tape
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI9926BDY-T1-GE3 D# NS-SI9926BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
6627 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI9926BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
76310 |
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