| 零件编号 | SI5475DDC-T1-GE3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8 |
| 数据表 | |
| 封装 | 8-SMD, Flat Lead |
| ECAD |
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| 库存 | 87,648 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 可立即发货 |
| 预计送达时间 | 三月 25 - 三月 30 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | 8-SMD, Flat Lead |
| ECAD |
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| 系列 | TrenchFET? |
| FET类型 | P-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 12V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 6A (Tc) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 1.8V, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 50nC @ 8V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 1600pF @ 6V |
| Vgs（最大） | ±8V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 32 mOhm @ 5.4A, 4.5V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | 1206-8 ChipFET? |
| 包/箱 | 8-SMD, Flat Lead |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI5475DDC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8 |
3000 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI5475DDC-T1-GE3 D# SI5475DDC-T1-GE3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8 |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI5475DDC-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
In stock shipping within 2days |
300 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI5475DDC-T1-GE3 D# 1794819RL |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, P CH, 12V, 6A, 1206-8 RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Reel
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI5475DDCT1GE3 |
Vishay Semiconductors |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
18230 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI5475DDC-T1-GE3 D# 20AC3930 |
Vishay Intertechnologies |
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI5475DDC-T1-GE3 D# NS-SI5475DDC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
6095 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI5475DDCT1GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
15335 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI5475DDC-T1-GE3 |
New Japan Radio Co Ltd |
shipping today |
4129 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI5475DDC-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8 |
1400 |
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