| 零件编号 | SI3585DV-T1-GE3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP |
| 数据表 | |
| 封装 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| ECAD |
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| 库存 | 658,140 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 可立即发货 |
| 预计送达时间 | 十二月 26 - 十二月 31 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 |
| 封装 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| ECAD |
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| 系列 | TrenchFET? |
| FET类型 | N and P-Channel |
| FET功能 | Logic Level Gate |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 20V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 2A, 1.5A |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 600mV @ 250µA (Min) |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | - |
| 力量 - 最大 | 830mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/箱 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 供应商设备包 | 6-TSOP |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI3585DV-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
DUAL N/P CH MOSFET, 20V, 1.8A, TSOP |
5059 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI3585DV-T1-GE3 D# SI3585DV-T1-GE3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI3585DV-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
180000 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI3585DV-T1-GE3 D# NS-SI3585DV-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
3662 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI3585DV-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
179985 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI3585DV-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
30005 |
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