| 零件编号 | SI3433BDV-T1-GE3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.3A 6-TSOP |
| 数据表 | |
| 封装 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| ECAD |
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| 库存 | 589,212 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 可立即发货 |
| 预计送达时间 | 十二月 25 - 十二月 30 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| ECAD |
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| 系列 | TrenchFET? |
| FET类型 | P-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 20V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 4.3A (Ta) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 1.8V, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 850mV @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | - |
| Vgs（最大） | ±8V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 1.1W (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 42 mOhm @ 5.6A, 4.5V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | 6-TSOP |
| 包/箱 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI3433BDV-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
P CHANNEL MOSFET, -20V, 4.3A, TSOP, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-4.3A, Drain Source Voltage Vds:-20V, On Resistance Rds(on):42mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V, Threshold Voltage Vgs:-450mV , RoHS Compliant: Yes |
2810 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI3433BDV-T1-GE3 D# SI3433BDV-T1-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 4.3A 6TSOP |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI3433BDVT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
71400 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI3433BDV-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
180000 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI3433BDV-T1-GE3 D# NS-SI3433BDV-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
9858 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI3433BDVT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
140016 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI3433BDV-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
179985 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI3433BDV-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
62996 |
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