| 零件编号 | SI2334DS-T1-GE3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23 |
| 数据表 | |
| 封装 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ECAD |
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| 库存 | 549,252 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 可立即发货 |
| 预计送达时间 | 十一月 17 - 十一月 22 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ECAD |
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| 系列 | TrenchFET? |
| FET类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 4.9A (Tc) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 2.5V, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 10nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 634pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±8V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 1.3W (Ta), 1.7W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 44 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 包/箱 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI2334DS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies | 3000 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI2334DS-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23 |
6000 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI2334DS-T1-GE3 D# SI2334DS-T1-GE3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT23-3 |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI2334DS-T1-GE3 D# 1858943RL |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET,N CH,30V,4.9A,DIODE,SOT23 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI2334DST1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3570 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI2334DS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
16825 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI2334DS-T1-GE3 D# NS-SI2334DS-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
9022 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI2334DST1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
3016 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI2334DS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
16810 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
SI2334DS-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
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3249 |
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