| 零件编号 | RQJ0303PGDQA#H6 |
|---|---|
| 制造商 | Renesas Electronics America |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK |
| 数据表 | |
| 封装 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ECAD |
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| 库存 | 6,272 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 待确认 |
| 预计送达时间 | 十一月 17 - 十一月 22 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | Renesas Electronics America |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ECAD |
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| 系列 | - |
| FET类型 | P-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 3.3A (Ta) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@Id | - |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 12nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 625pF @ 10V |
| Vgs（最大） | +10V, -20V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 800mW (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 68 mOhm @ 1.6A, 10V |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | 3-MPAK |
| 包/箱 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
RQJ0303PGDQA#H6 |
Renesas Electronics Corporation |
POWER MOSFET- LEAD FREE, HALOGEN FREE - Tape and Reel |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
RQJ0303PGDQA#H6 D# RQJ0303PGDQA#H6-ND |
Renesas Electronics Corporation |
MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
RQJ0303PGDQAH6 |
Renesas Electronics Corporation |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
18 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
RQJ0303PGDQA#H6 |
Renesas Electronics Corporation |
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, P-CHANNEL, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET |
10 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
RQJ0303PGDQA#H6 D# 2135182 |
Renesas Electronics Corporation |
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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0 |
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