| 零件编号 | PMT29EN,115 |
|---|---|
| 制造商 | NXP |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 6A SC-73 |
| 数据表 | |
| 封装 | TO-261-4, TO-261AA |
| ECAD |
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| 库存 | 5,056 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 待确认 |
| 预计送达时间 | 十一月 8 - 十一月 13 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | NXP |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | TO-261-4, TO-261AA |
| ECAD |
|
| 系列 | - |
| FET类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 6A (Ta) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 2.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 11nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 492pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 820mW (Ta), 8.33W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 29 mOhm @ 6A, 10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | SOT-223 |
| 包/箱 | TO-261-4, TO-261AA |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
PMT29EN115 D# PMT29EN,115 |
NXP Semiconductors |
- Bulk (Alt: PMT29EN,115) |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
PMT29EN,115 D# 2156-PMT29EN115-NXTR-ND |
Rochester Electronics LLC |
MOSFET N-CH 30V 6A SOT223 |
285 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
PMT29EN115 |
Rochester Electronics LLC |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
342 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
PMT29EN115 |
NXP Semiconductors |
OEM/CM ONLY |
317 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
PMT29EN,115 |
NXP Semiconductors |
Now Nexperia PMT29EN - Small Signal Field-Effect Transistor, 6A, 30V, N-Channel MOSFET RoHS: Compliant
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285 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
PMT29EN115 |
NXP Semiconductors |
OEM/CM ONLY |
266 |
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