| 零件编号 | NTGD4169FT1G |
|---|---|
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP |
| 数据表 | |
| 封装 | SOT-23-6 |
| ECAD |
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| 库存 | 360,012 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 可立即发货 |
| 预计送达时间 | 十一月 18 - 十一月 23 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | SOT-23-6 |
| ECAD |
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| 系列 | - |
| FET类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 2.6A (Ta) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 2.5V, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 1.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 295pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±12V |
| FET功能 | Schottky Diode (Isolated) |
| 功耗（最大值） | 900mW (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| 工作温度 | -25°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | 6-TSOP |
| 包/箱 | SOT-23-6 |
 
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
NTGD4169FT1G D# NTGD4169FT1G |
ON Semiconductor |
- Bulk (Alt: NTGD4169FT1G) |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
NTGD4169FT1G |
ON Semiconductor |
Power MOSFET and Schottky Diode |
1450 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
NTGD4169FT1G D# 2156-NTGD4169FT1G-ND |
Rochester Electronics LLC |
MOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOP |
185907 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
NTGD4169FT1G |
ON Semiconductor |
In stock shipping within 2days |
33525 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
NTGD4169FT1G |
Rochester Electronics LLC |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
223088 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
NTGD4169FT1G |
ON Semiconductor |
OEM/CM Immediate delivery |
66000 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
NTGD4169FT1G D# NS-NTGD4169FT1G |
ON Semiconductor |
OEM/CM ONLY |
3838 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
NTGD4169FT1G |
ON Semiconductor |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A, 30V, N-Channel MOSFET RoHS: Compliant
|
185907 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
NTGD4169FT1G |
ON Semiconductor |
IN stock Immediate delivery |
65985 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
NTGD4169FT1G |
Micron Technology Inc |
shipping today |
7 |
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