| 零件编号 | NP80N06PLG-E1B-AY |
|---|---|
| 制造商 | Renesas Electronics America |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 |
| 数据表 | |
| 封装 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| 库存 | 2,816 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 待确认 |
| 预计送达时间 | 三月 8 - 三月 13 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | Renesas Electronics America |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| 系列 | - |
| FET类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 80A (Tc) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 2.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 128nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 6900pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 1.8W (Ta), 115W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 8.3 mOhm @ 40A, 10V |
| 工作温度 | 175°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | TO-263 |
| 包/箱 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
NP80N06PLG-E1B-AY |
Renesas Electronics Corporation |
NP80N06PLG Series N-Channel 60 V 8.6 mOhm 85 nC Switching MosFet - TO-263 |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
NP80N06PLG-E1B-AY D# NP80N06PLG-E1B-AYTR-ND |
Renesas Electronics Corporation |
MOSFET N-CH 60V 80A TO263 |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
NP80N06PLG-E1B-AY |
VBsemi Electronics Co Ltd |
In stock shipping within 2days |
1000 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
NP80N06PLG-E1B-AY D# NS-NP80N06PLG-E1B-AY |
Renesas Electronics Corporation |
OEM/CM ONLY |
7267 |
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