| 零件编号 | MT44K64M18RB-107E IT:A |
|---|---|
| 制造商 | Micron Technology Inc. |
| 描述 | IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ |
| 数据表 | |
| 封装 | - |
| ECAD |
|
| 库存 | 3,248 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 待确认 |
| 预计送达时间 | 十二月 26 - 十二月 31 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
|
| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | Micron Technology Inc. |
| 类别 | 集成电路（IC） - 存储器 |
| 封装 | - |
| ECAD |
|
| 系列 | - |
| 记忆类型 | Volatile |
| 内存格式 | DRAM |
| 技术 | DRAM |
| 内存大小 | 1.125Gb (64Mb x 18) |
| 内存接口 | Parallel |
| 时钟频率 | 933MHz |
| 写周期时间 - Word，Page | - |
| 访问时间 | 8ns |
| 电压 - 电源 | 1.28 V ~ 1.42 V |
| 工作温度 | -40°C ~ 95°C (TC) |
| 安装类型 | - |
| 包/箱 | - |
| 供应商设备包 | - |
|
SIT8208AC-83-28E-33.600000X | SiTime, -20 TO 70C, 7050, 50PPM, 2.8V, 3, -, - | 查看 |
|
SIT1602BC-12-28N-8.192000D | SiTime, -20 TO 70C, 2520, 25PPM, 2.8V, 8, -, - | 查看 |
|
|
2225J2500562FCR | Knowles Syfer, CAP CER 2225, -, - | 查看 |
|
1206J2503P30CFR | Knowles Syfer, CAP CER 3.3PF 250V C0G/NP0 1206, 1206 (3216 Metric), - | 查看 |
|
RFN1L7STE25 | Rohm Semiconductor, DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS, DO-214AC, SMA, - | 查看 |
|
20-101-1322 | Digi International, RF TXRX MODULE WIFI, Module, - | 查看 |
|
RNCS0603BTE15K0 | Stackpole Electronics Inc., RES SMD 15K OHM 0.1% 1/16W 0603, 0603 (1608 Metric), - | 查看 |
|
|
TXR54SJ45-2818AI | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine, CONN BACKSHELL ADPT SZ 28, -, - | 查看 |
|
|
10-074696-013 | Amphenol Industrial Operations, ER 8 TO 16 REDUCTION SLEEVE, -, - | 查看 |
|
RWS600B24/CO2 | TDK-Lambda Americas Inc., AC/DC CONVERTER 24V 600W, -, - | 查看 |
|
VI-J2M-MZ-F2 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 10V 25W, Half Brick, - | 查看 |
|
|
VE-B63-CU-F3 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 24V 200W, Full Brick, - | 查看 |
我们保证100％的客户满意度。
我们经验丰富的销售团队和技术支持团队支持我们的服务以满足所有客户。
我们提供90天保修。
如果您收到的物品质量不合格，我们将负责您的退款或更换，但物品必须以原始状态退回。
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
MT44K64M18RB-107E IT:A D# V36:1790_17526436 |
Micron Technology Inc |
1.125Gb RLDRAM SDRAM |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
MT44K64M18RB-107E IT:A TR D# MT44K64M18RB-107E IT:A TR |
Micron Technology Inc |
DRAM Chip RLDRAM 3 1.125G-Bit 64M x 18 1.35V/2.5V 168-Pin BGA T/R (Alt: MT44K64M18RB-107E IT:A TR) RoHS: Compliant
|
0 |
MT44K64M18RB-107E IT:A D# MT44K64M18RB-107E IT:A |
Micron Technology Inc |
RLDRAM 3 1.125G 64MX18 TBGA - Trays (Alt: MT44K64M18RB-107E IT:A) RoHS: Not Compliant
|
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
MT44K64M18RB-107E IT:A TR D# MT44K64M18RB-107E IT:A TR |
Micron Technology Inc |
DRAM Chip RLDRAM 3 1.125G-Bit 64M x 18 1.35V/2.5V 168-Pin BGA T/R (Alt: MT44K64M18RB-107E IT:A TR) |
0 |
MT44K64M18RB-107E IT:A D# MT44K64M18RB-107E IT:A |
Micron Technology Inc |
RLDRAM 3 1.125G 64MX18 TBGA (Alt: MT44K64M18RB-107E IT:A) |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
MT44K64M18RB-107E IT:A TR D# MT44K64M18RB-107EIT:ATR-ND |
Micron Technology Inc |
IC RLDRAM 1.125GBIT PAR 168BGA |
0 |
MT44K64M18RB-107E IT:A D# MT44K64M18RB-107EIT:A-ND |
Micron Technology Inc |
IC RLDRAM 1.125GBIT PAR 168BGA |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
MT44K64M18RB-107E IT:A D# 80AH8078 |
Micron Technology Inc |
DRAM, 64M X 18BIT, -40 TO 95DEG C, DRAM Type:DDR, DRAM Density:1.125Gbit, DRAM Memory Configuration:64M x 18bit, Clock Frequency:1.2GHz, Memory Case Style:BGA, No. of Pins:168Pins, Supply Voltage Nom:1.35V, Access Time:1.07ns RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1190
Container: Bulk
|
0 |
您有关于 MT44K64M18RB-107E IT:A 的问题吗？
+86-0755-87210559 ext.802
扫描以查看此页面
