| 零件编号 | IPD65R660CFDBTMA1 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 6A TO252 |
| 数据表 | |
| 封装 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| 库存 | 2,208 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 待确认 |
| 预计送达时间 | 十二月 24 - 十二月 29 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| 系列 | CoolMOS? |
| FET类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 650V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 6A (Tc) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 4.5V @ 200µA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 22nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 615pF @ 100V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 62.5W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 660 mOhm @ 2.1A, 10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | PG-TO252-3 |
| 包/箱 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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SIT1602BC-11-30N-12.000000D | SiTime, -20 TO 70C, 2520, 20PPM, 3.0V, 1, -, CoolMOS? | 查看 |
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381EL271M450A452 | Cornell Dubilier Electronics (CDE), CAP ALUM 270UF 20% 450V SNAP, Radial, Can - Snap-In, CoolMOS? | 查看 |
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ABM25DRTH-S13 | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 50POS 0.156, -, CoolMOS? | 查看 |
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SI5338H-B06945-GMR | Silicon Labs, I2C CONTROL, 4-OUTPUT, ANY FREQU, 24-VFQFN Exposed Pad, CoolMOS? | 查看 |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
IPD65R660CFDBTMA1 D# IPD65R660CFDBTMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin TO-252 T/R - Bulk (Alt: IPD65R660CFDBTMA1) |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
IPD65R660CFDBTMA1 D# 2156-IPD65R660CFDBTMA1-ND |
Rochester Electronics LLC |
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3 |
2500 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
IPD65R660CFDBTMA1 D# 2726057RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 650V, 6A, TO-252-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
IPD65R660CFDBTMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
72500 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
IPD65R660CFD D# 726-IPD65R660CFD |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 650V 6A DPAK-2 CoolMOS CFD2 RoHS: Compliant
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2908 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
IPD65R660CFDBTMA1 D# 13AC9050 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 650V, 6A, TO-252-3, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:6A, Drain Source Voltage Vds:650V, On Resistance Rds(on):0.594ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, Power DissipationRoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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1304 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
IPD65R660CFDBTMA1 |
Infineon Technologies AG |
IPD65R660 - 650V and 700V CoolMOS N-Channel Power MOSFET RoHS: Compliant
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2500 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
IPD65R660CFDBTMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
62516 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
IPD65R660CFDBTMA1 D# 2726057 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 650V, 6A, TO-252-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
1310 |
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