| 零件编号 | EFC6602R-TR |
|---|---|
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 描述 | MOSFET 2N-CH EFCP |
| 数据表 | |
| 封装 | 6-XFBGA |
| ECAD |
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| 库存 | 2,080 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 待确认 |
| 预计送达时间 | 三月 1 - 三月 6 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 |
| 封装 | 6-XFBGA |
| ECAD |
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| 系列 | - |
| FET类型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET功能 | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| 漏极到源极电压（Vdss） | - |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | - |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | - |
| Vgs（th）（Max）@Id | - |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 55nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | - |
| 力量 - 最大 | 2W |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/箱 | 6-XFBGA |
| 供应商设备包 | 6-EFCP (2.7x1.81) |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
EFC6602R-TR D# V36:1790_07304716 |
ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 18A 6-Pin WLCSP T/R RoHS: Compliant
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
EFC6602R-TR D# EFC6602R-TR |
ON Semiconductor |
NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES - Tape and Reel (Alt: EFC6602R-TR) RoHS: Compliant
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
EFC6602R-TR |
ON Semiconductor |
NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES - Tape and Reel |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
EFC6602R-TR D# 2156-EFC6602R-TR-ND |
Rochester Electronics LLC |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
EFC6602R-TR D# 2724452 |
ON Semiconductor |
MOSFET, DUAL N-CH, 12VSS, 18A, WLCSP RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
EFC6602RTR |
ON Semiconductor |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
103500 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
EFC6602R-TR |
ON Semiconductor |
OEM/CM Immediate delivery |
15080 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
EFC6602R-TR D# 863-EFC6602R-TR |
ON Semiconductor |
MOSFET Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection, 12 V, 5.9 mO, 18 A, Dual N-Channel RoHS: Compliant
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3193 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
EFC6602RTR |
ON Semiconductor |
OEM/CM ONLY |
5016 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
EFC6602R-TR |
ON Semiconductor |
IN stock Immediate delivery |
15095 |
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