| 零件编号 | BSC130P03LS G |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8 |
| 数据表 | |
| 封装 | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
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| 库存 | 12,312 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 可立即发货 |
| 预计送达时间 | 二月 4 - 二月 9 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
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| 系列 | OptiMOS? |
| FET类型 | P-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 12A (Ta), 22.5A (Tc) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 2.2V @ 150µA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 73.1nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 3670pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±25V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 13 mOhm @ 22.5A, 10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | PG-TDSON-8 |
| 包/箱 | 8-PowerTDFN |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
BSC130P03LSGAUMA1 D# 2156-BSC130P03LSGAUMA1-ND |
Rochester Electronics LLC |
PFET, 12A I(D), 30V, 0.013OHM, 1 |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
BSC130P03LSGAUMA1 D# 2443467RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, P CH, -30V, -22.5A, TDSON-8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
BSC130P03LSGAUMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
115 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
BSC130P03LSGAUMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
116 |
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