| 零件编号 | BSB012N03LX3 G |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON |
| 数据表 | |
| 封装 | 3-WDSON |
| ECAD |
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| 库存 | 3,520 piece(s) |
| 单价 | Request a Quote |
| 交货时间 | 待确认 |
| 预计送达时间 | 三月 13 - 三月 18 (选择速递服务) |
| 请求报价 |
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| 支付方式 | |
| 送货服务 |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 类别 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 封装 | 3-WDSON |
| ECAD |
|
| 系列 | OptiMOS? |
| FET类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C | 39A (Ta), 180A (Tc) |
| 驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 2.2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs | 169nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds | 16900pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 1.2 mOhm @ 30A, 10V |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | MG-WDSON-2, CanPAK M? |
| 包/箱 | 3-WDSON |
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| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
BSB012N03LX3G D# BSB012N03LX3G |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 30V 39A 7-Pin WDSON - Bulk (Alt: BSB012N03LX3G) RoHS: Compliant
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0 |
BSB012N03LX3GXUMA1 D# BSB012N03LX3GXUMA1 |
Infineon Technologies AG |
- Bulk (Alt: BSB012N03LX3GXUMA1) RoHS: Compliant
|
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
BSB012N03LX3GXUMA1 D# SP000597846 |
Infineon Technologies AG |
(Alt: SP000597846) |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
BSB012N03LX3 G |
Infineon Technologies AG |
N-CH 30V 180A 1.2mOhm CanPAK RoHSconf |
0 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
BSB012N03LX3G D# 2156-BSB012N03LX3G-ND |
Rochester Electronics LLC |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
6282 |
BSB012N03LX3 G D# BSB012N03LX3GTR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON |
0 |
BSB012N03LX3GXUMA1 D# 2156-BSB012N03LX3GXUMA1-ND |
Rochester Electronics LLC |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
5000 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
BSB012N03LX3G |
Intersil Corporation |
In stock shipping within 2days |
400 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
BSB012N03LX3G |
Rochester Electronics LLC |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
7751 |
BSB012N03LX3GXUMA1 |
Rochester Electronics LLC |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
5750 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
BSB012N03LX3G |
Intersil Corporation |
OEM/CM Immediate delivery |
400 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
BSB012N03LX3 G D# NS-BSB012N03LX3 G |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
10041 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
BSB012N03LX3G |
Infineon Technologies AG |
Power Field-Effect Transistor, 39A, 30V, 0.0012ohm, N-Channel, MOSFET RoHS: Compliant
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6282 |
BSB012N03LX3GXUMA1 |
Infineon Technologies AG |
Power Field-Effect Transistor, 39A, 30V, 0.0012ohm, N-Channel, MOSFET RoHS: Compliant
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5000 |
| 零件编号 | 制造商 | 描述 | 库存 |
BSB012N03LX3G |
Intersil Corporation |
IN stock Immediate delivery |
395 |
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